High-transconductance molybdenum disulfide top-gate transistors using epitaxial interface engineering

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标题	High-transconductance molybdenum disulfide top-gate transistors using epitaxial interface engineering
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-026-01672-7
DOI	10.1038/s41928-026-01672-7 doi
其它	期刊：Nature electronics 作者：Yuan-Chun Su; Po‐Sen Mao; Chih-Yao Shih; Shih-Ting Wang; Yun-Yang Shen; et al 出版日期：2026-07-31
求助人	刚刚好在 2026-08-08 14:09:10 发布自山东，悬赏 10 积分
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