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High-transconductance molybdenum disulfide top-gate transistors using epitaxial interface engineering
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DOI
10.1038/s41928-026-01672-7 doi
其它 期刊:Nature electronics
作者:Yuan-Chun Su; Po‐Sen Mao; Chih-Yao Shih; Shih-Ting Wang; Yun-Yang Shen; et al
出版日期:2026-07-31
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