High work function metal gate and reliability improvement for MOS device by integration of TiN/MoN and HfAlO dielectric

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标题	High work function metal gate and reliability improvement for MOS device by integration of TiN/MoN and HfAlO dielectric
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2010.05.003
DOI	10.1016/j.sse.2010.05.003 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：Chung-Hao Fu; Kuei-Shu Chang-Liao; Hsueh-Yueh Lu; Chen-Chien Li; Tien-Ko Wang 出版日期：2010-10-01
求助人	heimajiaerji 在 2026-08-02 13:15:20 发布自湖北，悬赏 10 积分
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