| 标题 |
  In-line metrology and inspection for hidden structure of lateral gate-all-around devices enabled by high voltage critical dimension scanning electron microscopy 相关领域
计量学
临界尺寸
材料科学
维数（图论）
高压
光学
电压
扫描电子显微镜
光电子学
高分辨率
显微镜
尺寸计量学
高维
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| 网址 | |
| DOI |
10.1117/1.jmm.25.1.014002
doi
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| 其它 |
期刊：Journal of Micro/Nanopatterning, Materials, and Metrology 作者：Tomoyasu Shohjoh; Miki Isawa; Gian Francesco Lorusso; Naoto Horiguchi; Hans Mertens; et al 出版日期：2026-03-04 |
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