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 0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications 相关领域
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期刊：2008 IEEE International Electron Devices Meeting 作者：N. Menou; X.P. Wang; B. Kaczer; W. Polspoel; M. Popovici; et al 出版日期：2009-03-06 |
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