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Contact‐Engineered Oxide Memtransistors for Homeostasis‐Based High‐Linearity and Precision Neuromorphic Computing 用于基于稳态的高线性和精确神经形态计算的接触工程氧化物记忆晶体管
相关领域
神经形态工程学
仿真
材料科学
线性
记忆电阻器
稳态可塑性
计算机科学
电子工程
光电子学
纳米技术
人工神经网络
长时程增强
化学
变质塑性
人工智能
工程类
受体
生物化学
经济增长
经济
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期刊:Small 作者:San Nam; Dong Hyun Kang; Seong‐Pil Jeon; Dayul Nam; Jeong‐Wan Jo; et al 出版日期:2025-01-05 |
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