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 Investigation of the Trap States and V th Instability in Normally-Off GaN MIS-FETs With LPCVD SiNx/PEALD AlN Gate Dielectric Stack and In Situ H2/N2 Plasma Pretreatment LPCVD SiNx/PEALD AlN栅介质堆叠和原位H2/N2等离子体预处理研究常关GaN MIS-FET的陷阱态和V型不稳定性
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氮化硅
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化学
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