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 Physics based model of an AlGaN/GaN vacuum field effect transistor AlGaN/GaN真空场效应晶体管的物理模型
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Nathaniel Hernandez; M. Cahay; Jonathan Ludwick; Tyson C. Back; Harris J. Hall; et al 出版日期：2022-09-01 |
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