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  4H-SiC MOSFET Threshold Voltage Instability Evaluated via Pulsed High-Temperature Reverse Bias and Negative Gate Bias Stresses 通过脉冲高温反向偏置和负栅极偏置应力评估4H-SiC MOSFET阈值电压不稳定性
相关领域
材料科学
MOSFET
负偏压温度不稳定性
阈值电压
压力（语言学）
光电子学
平面的
栅氧化层
电场
电压
电气工程
晶体管
物理
工程类
计算机图形学（图像）
量子力学
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计算机科学
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期刊：Materials 作者：Laura Anoldo; Edoardo Zanetti; Walter Coco; Alfio Russo; Patrick Fiorenza; et al 出版日期：2024-04-20 |
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