| 标题 |
 An Insightful Assessment of 1T-DRAM With Misaligned Polarity Gate in RFET RFET中极性栅极错位的1T-DRAM的深入评估
相关领域
德拉姆
可扩展性
动态随机存取存储器
极性（国际关系）
电容
晶体管
电气工程
计算机科学
CMOS芯片
物理
计算机硬件
工程类
半导体存储器
电压
操作系统
化学
量子力学
生物化学
细胞
电极
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Arghya Singha Roy; Sandeep Semwal; Abhinav Kranti 出版日期：2022-05-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
cdercder
Nole
Dean
aaaa
8R60d8
xing_xing
OK
DOC_XIONG
sagitar
小鱼爱吃肉
bai
Judles
XX
huang
学术文献互助
馨馨的科科
sui
arniu2008
果粒多
皖公网安备34019202002308
