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 Characterizations and Framework Modeling of Bulk MOSFET Threshold Voltage Based on a Physical Charge-Based Model Down to 4 K 基于物理电荷模型的低至4 K体MOSFET阈值电压的表征和框架建模
相关领域
MOSFET
阈值电压
电荷（物理）
电压
半导体器件建模
物理
材料科学
计算机科学
电子工程
光电子学
电气工程
工程物理
工程类
晶体管
CMOS芯片
粒子物理学
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期刊： 作者：Hao Su; Yunfeng Xie; Yuhuan Lin; Haihan Wu; Wenxin Li; et al 出版日期：2024-09-09 |
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