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  Improved carrier injection in GaN-based VCSEL via AlGaN/GaN multiple quantum barrier electron blocking layer 通过AlGaN/GaN多量子势垒电子阻挡层改善GaN基VCSEL载流子注入
相关领域
材料科学
光电子学
激光阈值
垂直腔面发射激光器
阻挡层
带隙
激光器
量子阱
量子效率
宽禁带半导体
图层（电子）
光学
纳米技术
波长
物理
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| 其它 |
期刊：Optics Express 作者：Dan‐Hua Hsieh; An-Jye Tzou; Tsung Sheng Kao; Fang‐I Lai; Da-Wei Lin; et al 出版日期：2015-10-07 |
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