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 A 4T2R RRAM Bit Cell for Highly Parallel Ternary Content Addressable Memory 一种用于高度并行三进制内容可寻址存储器的4T2R RRAM位单元
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xuehong Wang; Linfang Wang; Wang Ye; Junjie An; Chunmeng Dou; et al 出版日期：2021-09-02 |
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