Ferroelectric Controlled Interfacial Effect on the Electronic Properties of PZT Gated IGZO Channel Thin-Film Transistors

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标题	Ferroelectric Controlled Interfacial Effect on the Electronic Properties of PZT Gated IGZO Channel Thin-Film Transistors 铁电控制界面效应对PZT栅IGZO沟道薄膜晶体管电子特性的影响相关领域材料科学铁电性薄膜晶体管晶体管光电子学退火（玻璃）薄膜制作非易失性存储器极化（电化学）纳米技术电介质电压电气工程复合材料图层（电子）物理化学化学病理替代医学工程类医学
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01493
DOI	10.1021/acsaelm.3c01493 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Wen Yuan Teng; Si-Yao Bao; Yuqing Hu; Xing Deng; Zhao Guan; et al 出版日期：2024-01-13
求助人	waingfory 在 2025-08-26 06:16:17 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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