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标题
Physical and electrical characteristics of AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors with rare earth Er2O3 as a gate dielectric
以稀土Er2O3为栅介质的AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的物理和电学特性
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 晶体管 击穿电压 异质结 电介质 栅极电介质 阈值电压 电压 电气工程 工程类
网址
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.01.028
DOI
10.1016/j.tsf.2013.01.028 doi
其它 期刊：Thin Solid Films
作者：Ray‐Ming Lin; Fu-Chuan Chu; Atanu Das; Sheng-Yu Liao; Shu-Tsun Chou; et al
出版日期：2013-01-25
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wuwu 在 2025-11-10 09:32:10 发布自福建，悬赏 10 积分
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