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Physics-Based Compact Model of Independent Dual-Gate BEOL-Transistors for Reliable Capacitorless Memory 用于可靠无电容存储器的独立双栅BEOL晶体管基于物理的紧凑模型
相关领域
物理
对偶(语法数字)
晶体管
光电子学
电子工程
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工程类
量子力学
艺术
文学类
电压
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期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者:Lihua Xu; Kaifei Chen; Zhi Li; Yue Zhao; Lingfei Wang; et al 出版日期:2024-01-01 |
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