| 标题 |
Effect of Gate Dielectric to the Threshold Voltage of 65 nm NMOS Structure 相关领域
NMOS逻辑
阈值电压
栅氧化层
材料科学
光电子学
氧化物
晶体管
栅极电介质
过驱动电压
电压
电介质
等效氧化层厚度
MOSFET
电气工程
工程类
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:AIP conference proceedings 作者:M. Y. Yunus; M. Rusop; M. Rusop; Tetsuo Soga 出版日期:2009-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|