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 Stacked indium oxide/zinc oxide heterostructures as semiconductors in thin film transistor devices: a case study using atomic layer deposition 作为薄膜晶体管器件中半导体的堆叠氧化铟/氧化锌异质结构：使用原子层沉积的案例研究
相关领域
材料科学
铟
图层（电子）
异质结
原子层沉积
薄膜晶体管
光电子学
锌
氧化物
薄膜
原子层外延
晶体管
半导体
沉积（地质）
氧化物薄膜晶体管
纳米技术
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沉积物
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Shawn Sanctis; Jan Krausmann; Conrad Guhl; Jörg J. Schneider 出版日期：2017-11-06 |
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