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 Asymmetric Trench SiC MOSFET With Integrated Channel Accumulation Diode for Enhanced Reverse Conduction and Switching Characteristics 用于增强反向导通和开关特性的集成沟道累积二极管的非对称沟槽SiC MOSFET
相关领域
沟槽
材料科学
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Sheng Gao; Xianfeng Zhang; Qi Wang; Shengqi Yu; Yang Zuo; et al 出版日期：2024-10-09 |
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