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Effect of tensile and compressive strain on the gate leakage current and inverse piezoelectric effect in AlGaN/GaN HEMT devices
拉压应变对AlGaN/GaN HEMT器件栅极漏电流和逆压电效应的影响
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1063/5.0197849
DOI
10.1063/5.0197849 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Yiqun Zhang; Hui Zhu; Xing Liu; Zhirang Zhang; Chao Xu; et al
出版日期：2024-07-15
求助人
HJJHJH 在 2025-06-12 14:31:32 发布自河南，悬赏 10 积分
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