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 Realization of tunable-performance in atomic layer deposited Hf-doped In2O3 thin film transistor via oxygen vacancy modulation 氧空位调制在原子层沉积Hf掺杂In2O3薄膜晶体管中实现可调谐性能
相关领域
材料科学
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期刊：Journal of Chemical Physics 作者：Jiyuan Zhu; Huolin Shen; Bojia Chen; Shice Wei; Yu Zhang; et al 出版日期：2024-01-25 |
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