标题 |
A thorough study on the electrical performance change and trap evolution of AlGaN/GaN MIS-HEMTs under proton irradiation
质子辐照下AlGaN/GaN MIS-HEMTs电性能变化及陷阱演化的深入研究
相关领域
材料科学
光电子学
辐照
晶体管
半导体
宽禁带半导体
俘获
阈值电压
质子
电子
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Tian Zhu; Xuefeng Zheng; Tai-Xu Yin; Hao Zhang; Xiao-Hu Wang; et al 出版日期:2023-05-01 |
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