Growth of Shockley type stacking faults upon forward degradation in 4H-SiC p-i-n diodes

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标题	Growth of Shockley type stacking faults upon forward degradation in 4H-SiC p-i-n diodes
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/1.49431...
DOI	10.1063/1.4943165 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Atsushi Tanaka; Hirofumi Matsuhata; Naoyuki Kawabata; Daisuke Mori; Kei Inoue; et al 出版日期：2016-03-08
求助人	wztin 在 2026-10-16 16:55:17 发布自浙江，悬赏 10 积分
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