Hydrogen Impacts of PEALD InGaZnO TFTs Using SiOx Gate Insulators Deposited by PECVD and PEALD

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标题	Hydrogen Impacts of PEALD InGaZnO TFTs Using SiOx Gate Insulators Deposited by PECVD and PEALD
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2020.3017145
DOI	10.1109/ted.2020.3017145 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Seok-Goo Jeong; Hyun-Jun Jeong; Wan-Ho Choi; KyoungRok Kim; Jin-Seong Park 出版日期：2020-10-01
求助人	mingfei 在 2026-10-08 13:50:49 发布自上海，悬赏 10 积分
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