| 标题 |
Highly Stackable 3D DRAM of Dual-Gate IGZO 2T0C with Record 3 Bits/Cell and 400s Data Retention 相关领域
数据保留
德拉姆
计算机科学
计算机硬件
嵌入式系统
组分(热力学)
故障排除
保留时间
数据丢失
随机存取存储器
材料科学
操作系统
光电子学
动态随机存取存储器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者:Fuxi Liao; Zhengyong Zhu; Guanhua Yang; Xuanming Zhang; Menggan Liu; et al 出版日期:2026-07-04 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)