Advanced Si-based substrates for RF passive integration: Comparison between local porous Si layer technology and trap-rich high resistivity Si

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标题	Advanced Si-based substrates for RF passive integration: Comparison between local porous Si layer technology and trap-rich high resistivity Si
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2013.04.026
DOI	10.1016/j.sse.2013.04.026 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：P. Sarafis; E. Hourdakis; A.G. Nassiopoulou; C. Roda Neve; K. Ben Ali; et al 出版日期：2013-09-01
求助人	背后妙旋在 2026-10-28 22:39:20 发布自江苏，悬赏 10 积分
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