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Mechanism of a-InGaZnO Thin Film Transistors Degradation Under Negative Gate-Pulse Stress
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DOI
10.1109/led.2026.3697137 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Huaisheng Wang; Longtao Shang; M J Wang; Dongli Zhang; Nannan Lv; et al
出版日期:2026-06-08
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growl 在 2026-10-14 10:44:22 发布自湖南,悬赏 10 积分
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