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 Enhanced initial photocurrent caused by the multiplication process at punch-through voltage in InGaAs/InP avalanche photodiode with highly doped charge layer 相关领域
雪崩光电二极管
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期刊：Infrared Physics & Technology 作者：Wei Liu; Zhenghai Shi; Junhua Gao 出版日期：2022-05-01 |
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