Analysis of Basal Plane Bending and Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Single Crystals

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标题	Analysis of Basal Plane Bending and Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Single Crystals 相关领域基面热弹性阻尼材料科学弯曲位错蚀刻（微加工）结晶学平面（几何）凝聚态物理复合材料几何学化学物理热的热力学数学图层（电子）
网址	http://dx.doi.org/10.1143/jjap.48.065503
DOI	10.1143/jjap.48.065503 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Noboru Ohtani; Masakazu Katsuno; Tatsuo Fujimoto; Masashi Nakabayashi; Hiroshi Tsuge; et al 出版日期：2009-06-22
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