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Modeling of the Gate Bias-Dependent Velocity–Field Relationship and Physics-Based Current-Voltage Characteristics in AlGaN/GaN HFETs
AlGaN/GaN HFET中栅极偏压相关速度场关系和基于物理的电流电压特性的模拟
相关领域
光电子学 电压 阈值电压 物理 氮化镓 领域（数学） 计算物理学 材料科学 调制（音乐） 凝聚态物理 晶体管 纳米技术 量子力学 数学 声学 图层（电子） 纯数学
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6287639/6514899/10401224.p...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1109/access.2024.3354773 doi
其它 期刊：IEEE Access
作者：Ming-yan Wang; Yuanjie Lv; Heng Zhou; Peng Cui; Zhaojun Lin
出版日期：2024-01-01
求助人
Summer 在 2025-12-05 08:38:57 发布自山西，悬赏 10 积分
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