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标题
The Effect of Back-Barrier on the Performance Enhancement of III-Nitride/β-Ga2O3 Nano-HEMT
背势垒对III-氮化物/β-Ga2O3纳米HEMT性能增强的影响
相关领域
高电子迁移率晶体管 钝化 材料科学 电气工程 纳米技术 电压 图层（电子） 晶体管 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/edkcon56221.2022.10032868
DOI
10.1109/edkcon56221.2022.10032868 doi
其它 期刊：2022 IEEE International Conference of Electron Devices Society Kolkata Chapter (EDKCON)
作者：G. Purnachandra Rao; Nistha Baruah; Trupti Ranjan Lenka; Rajan Singh; Nour El I. Boukortt; et al
出版日期：2022-11-26
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紧张的怜寒 在 2025-12-15 15:25:42 发布自广东，悬赏 10 积分
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