| 标题 |
1200V 4H-SiC Trench Devices 1200V 4H-SiC沟槽器件
相关领域
碳化硅
材料科学
沟槽
光电子学
肖特基二极管
工程物理
二极管
电气工程
功率MOSFET
MOSFET
肖特基势垒
电压
纳米技术
工程类
复合材料
晶体管
图层(电子)
|
| 网址 |
AI链接 ieee.org |
| DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
| 其它 |
期刊:PCIM Europe 2014; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of 作者:Ryota Nakamura; Yuki Nakano; Masatoshi Aketa; Noriaki Kawamoto; Kazuhide Ino 出版日期:2014-05-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|