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 1200V 4H-SiC Trench Devices 1200V 4H-SiC沟槽器件
相关领域
碳化硅
材料科学
沟槽
光电子学
肖特基二极管
工程物理
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电气工程
功率MOSFET
MOSFET
肖特基势垒
电压
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工程类
复合材料
晶体管
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：PCIM Europe 2014; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of 作者：Ryota Nakamura; Yuki Nakano; Masatoshi Aketa; Noriaki Kawamoto; Kazuhide Ino 出版日期：2014-05-20 |
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