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Performance Limit of Monolayer WSe2 Transistors; Significantly Outperform Their MoS2 Counterpart 单层WSe2晶体管的性能极限;明显优于二硫化钼
相关领域
材料科学
单层
晶体管
MOSFET
场效应晶体管
光电子学
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电容
极限(数学)
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量子电容
缩放比例
硅
缩放限制
短通道效应
纳米技术
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量子力学
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数学
电极
几何学
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| 其它 |
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Xiaotian Sun; Lin Xu; Yu Zhang; Weizhou Wang; Shiqi Liu; et al 出版日期:2020-04-14 |
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