| 标题 |
 Hole Conduction of Tungsten Diselenide Crystalline Transistors by Niobium Dopant 铌掺杂剂对二硒化钨晶体晶体管空穴传导的影响
相关领域
二硒化钨
材料科学
兴奋剂
掺杂剂
光电子学
铌
晶体管
双极扩散
费米能级
晶体硅
表征（材料科学）
纳米技术
凝聚态物理
硅
过渡金属
电气工程
电子
冶金
电压
催化作用
化学
工程类
物理
量子力学
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Dongil Chu; Eun Kyu Kim 出版日期：2018-11-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
GingerF
罗Eason
唠叨的大门
Nole
anugraphics
null
v0id
无极微光
今夕何夕
果果123
Criminology34
DW
OK
Ali
CRUSADER
秋风
swhin
潇洒的惋清
LUX
皖公网安备34019202002308
