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 Structural Evolution and Electrical Properties of Highly Active Plasma Process on 4H-SiC 4H-SiC高活性等离子体过程的结构演化和电学性质
相关领域
等离子体
过程（计算）
化学
材料科学
计算机科学
物理
操作系统
量子力学
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期刊：Applied Science and Convergence Technology 作者：Dae-Kyoung Kim; Mann–Ho Cho 出版日期：2017-09-30 |
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