Structural Evolution and Electrical Properties of Highly Active Plasma Process on 4H-SiC

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标题	Structural Evolution and Electrical Properties of Highly Active Plasma Process on 4H-SiC 4H-SiC高活性等离子体过程的结构演化和电学性质相关领域等离子体过程（计算）化学材料科学计算机科学物理量子力学操作系统
网址	https://doi.org/10.5757/asct.2017.26.5.133 AI链接 re.krdoi.org
DOI	10.5757/asct.2017.26.5.133 doi
其它	期刊：Applied Science and Convergence Technology 作者：Dae-Kyoung Kim; Mann–Ho Cho 出版日期：2017-09-30
求助人	飘逸雨在 2025-10-13 07:04:40 发布自湖北，悬赏 10 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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