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标题
Kinetics of Reactive Ion Etching of Si, SiO2, and Si3N4 in C4F8 + O2 + Ar Plasma: Effect of the C4F8/O2 Mixing Ratio
C4 F8 + O2 + AR等离子体中Si、SiO2和Si 3 N4的反应离子蚀刻动力学：C4 F8/O2混合比的影响
相关领域
材料科学 混合（物理） 等离子体 离子 反应离子刻蚀 混合比 动力学 蚀刻（微加工） 热力学 化学 纳米技术 物理 量子力学 有机化学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1134/s1063739721020050
DOI
10.1134/s1063739721020050 doi
其它 期刊：Russian Microelectronics
作者：Alexander Efremov; Kwang‐Ho Kwon
出版日期：2021-03-01
求助人
daoketuo 在 2025-09-16 13:54:10 发布自美国，悬赏 10 积分
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