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Novel Heterojunction Field Plate $\beta-\text{Ga}_{2}\mathrm{O}_{3}$ MOSFET with High Breakdown Voltage 具有高击穿电压的新型异质结场板$\beta-\text{Ga}_{2}\mathrm{O}_{3}$MOSFET
相关领域
MOSFET
击穿电压
光电子学
材料科学
BETA(编程语言)
电压
异质结
电气工程
物理
计算机科学
工程类
晶体管
程序设计语言
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| 备注 |
会议论文
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期刊: 作者:Xiangnan Li; Jie Wei; Kai Zhao; Linyao Hao; Xiaosong Peng; et al 出版日期:2024-10-22 |
| 求助人 | |
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