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[高分]
 Chalcogenide halide Sc XY ( X = S, Se, Te; Y = Cl, Br, I) monolayers as gate dielectrics for two-dimensional field-effect transistors 作为二维场效应晶体管栅极电介质的硫族卤化物Sc XY（X=S，Se，Te；Y=Cl，Br，I）单层
相关领域
材料科学
算法
计算机科学
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期刊：Physical review applied 作者：NULL AUTHOR_ID 出版日期：2025-07-18 |
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