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标题
[高分] Threshold Voltage Shift for Doping Profile of Asymmetric Double Gate MOSFET
相关领域
阈值电压 MOSFET 过驱动电压 兴奋剂 材料科学 电压 反向短通道效应 航程（航空） 排水诱导屏障降低 栅氧化层 光电子学 晶体管 电气工程 凝聚态物理 物理 工程类 复合材料
网址
https://doi.org/10.6109/jkiice.2015.19.4.903
AI链接 re.krdoi.org
DOI
10.6109/jkiice.2015.19.4.903 doi
其它 期刊：The Journal of the Korean Institute of Information and Communication Engineering
作者：Hakkee Jung
出版日期：2015-04-30
求助人
lau 在 2025-10-16 18:42:55 发布自甘肃，悬赏 150 积分
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