Insights on Asymmetrical Electrode Geometric Effect to Enhance Gate-Drain-Bias Stability of Vertical-Channel InGaZnO Thin-Film Transistor

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标题	Insights on Asymmetrical Electrode Geometric Effect to Enhance Gate-Drain-Bias Stability of Vertical-Channel InGaZnO Thin-Film Transistor 非对称电极几何效应增强垂直沟道InGaZnO薄膜晶体管栅漏偏压稳定性的见解相关领域材料科学电极钝化图层（电子）薄膜晶体管光电子学晶体管频道（广播）等离子体原子层沉积沉积（地质）复合材料电压电气工程化学物理化学工程类古生物学物理量子力学沉积物生物
网址	https://doi.org/10.1007/s13391-024-00513-z
DOI	10.1007/s13391-024-00513-z doi
其它	期刊：Electronic Materials Letters 作者：Dong-Hee Lee; Young-Ha Kwon; Nak‐Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Jong‐Heon Yang; et al 出版日期：2024-07-30
求助人	执着静竹在 2025-05-19 11:08:41 发布自上海，悬赏 10 积分
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