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 Lattice-aligned gallium oxynitride nanolayer for GaN surface enhancement and function extension 网格排列的氮氧化镓纳米层用于增强Gap表面和扩展功能
相关领域
材料科学
纤锌矿晶体结构
氮化镓
光电子学
镓
纳米技术
外延
宽禁带半导体
半导体
锌
冶金
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：arXiv (Cornell University) 作者：Junting Chen; J. Zhao; Sirui Feng; Li Zhang; Cheng Yan; et al 出版日期：2022-01-01 |
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