Interface-engineered TiO2/MoO3 bilayer memristor with MoN electrode for stable and low-voltage neuromorphic applications

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标题	Interface-engineered TiO2/MoO3 bilayer memristor with MoN electrode for stable and low-voltage neuromorphic applications
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S266652392...
DOI	10.1016/j.apsadv.2026.101036 doi
其它	期刊：Applied Surface Science Advances 作者：Amir Sohail Khan; Sobia Ali Khan; Ahmad Ali; Shahid Iqbal; R Samyugdhanayaki; et al 出版日期：2026-07-28
求助人	生动绫在 2026-08-31 11:02:48 发布自浙江，悬赏 10 积分
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