Development and Characterization of a 600 Å PECVD Si3N4 High-Density MIM Capacitor for InGaP/GaAs HBT Applications

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标题	Development and Characterization of a 600 Å PECVD Si3N4 High-Density MIM Capacitor for InGaP/GaAs HBT Applications
网址	https://www.semanticscholar.org/paper/75763cf4ff62ba6cd61bff...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	期刊：作者：J. Yota; R. Ramanathan; Jose Arreaga; Peter Dai; C. Cismaru; et al 出版日期：2003-01-01
求助人	小刘在 2026-08-03 21:02:12 发布自广东，悬赏 10 积分
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