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标题
Simulation of performance enhancement of GaN-based VCSELs by composition gradient InGaN last-quantum barrier
相关领域
光电子学 材料科学 氮化镓 铟 异质结 量子阱 极化（电化学） 泄漏（经济） 激光器 光学 化学 物理 纳米技术 物理化学 图层（电子） 经济 宏观经济学
网址
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ad03fd
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.1088/1361-6641/ad03fd doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Ya-chao Wang; Tao Yang; Lei Shi; Yan-hui Chen; Yang Mei; et al
出版日期：2023-10-18
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朴实的新柔 在 2026-08-27 09:43:21 发布自山东，悬赏 10 积分
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