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 Enhanced 2DEG confinement in GaN-based HEMTs: Exploring the role of AlGaN back barriers through Schrödinger - Poisson simulations and experimental validation 相关领域
材料科学
凝聚态物理
光电子学
工程物理
物理
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：A. Kostopoulos; A. Adikimenakis; K. Tsagaraki; M. Kayambaki; N. Kornilios; et al 出版日期：2024-12-14 |
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