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Review of Recent HZO-Based Ferroelectric Transistors for Non-Volatile Memory Applications
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DOI
10.1109/edr.2025.3646143 doi
其它 期刊:IEEE Electron Devices Reviews
作者:Yung-Chun Wu; Chen-You Wei
出版日期:2025-12-20
求助人
唐太君 在 2026-05-18 14:44:53 发布自吉林,悬赏 10 积分
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