Dual surface defects induced efficient interfacial electron transfer in S-scheme hollow ZnO@ZnS heterojunction for uranium (VI) removal

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标题	Dual surface defects induced efficient interfacial electron transfer in S-scheme hollow ZnO@ZnS heterojunction for uranium (VI) removal
网址	https://doi.org/10.1016/j.seppur.2024.128172
DOI	10.1016/j.seppur.2024.128172 doi
其它	期刊：Separation and Purification Technology 作者：Cailing Liu; Yiguo Xu; Yiyang Peng; Hongqing Wang; Yinxiang Chen; et al 出版日期：2024-06-01
求助人	爱低温的啊陈在 2026-10-13 15:20:16 发布自福建，悬赏 10 积分
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