Selective Isolation of Surface Grain Boundaries by Oxide Dielectrics Improves Cd(Se,Te) Device Performance

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标题	Selective Isolation of Surface Grain Boundaries by Oxide Dielectrics Improves Cd(Se,Te) Device Performance
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.4c16902?ref=arti...
DOI	10.1021/acsami.4c16902 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials and Interfaces 作者：B. Sartor; R. Muzzio; Chun-Sheng Jiang; Chungho Lee; Craig L. Perkins; et al 出版日期：2025-01-24
求助人	饭先生在 2026-09-18 21:36:34 发布自广西，悬赏 10 积分
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