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  A High-Density 4H-SiC MOSFET Based on a Buried Field Limiting Ring with Low Qgd and Ron 低Qgd和Ron的基于埋场限制环的高密度4H-SiC MOSFET
相关领域
沟槽
护盾
功勋
材料科学
MOSFET
光电子学
限制
电场
电气工程
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物理
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地质学
机械工程
电压
岩石学
量子力学
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| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Wenrong Cui; Jianbin Guo; Hang Xu; David Wei Zhang 出版日期：2025-04-10 |
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