| 标题 |
 In situ metrology advances in MOCVD growth of GaN-based materials GaN基材料MOCVD生长的原位计量研究进展
相关领域
金属有机气相外延
薄脆饼
高温计
材料科学
发射率
光电子学
光学
外延
原位
计量学
氮化镓
温度测量
复合材料
图层（电子）
化学
物理
有机化学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Crystal Growth 作者：M. V. Belousov; B. Volf; J. Ramer; E. Armour; A. Gurary 出版日期：2004-10-21 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
冰魂
爱静静
孙燕
jenningseastera
一一
平常的毛豆
昏睡的蟠桃
SYLH
ECUST
iNk
8R60d8
cctv18
眯眯眼的衬衫
kalah
xzy998
HEIKU
MchemG
pcr163
OCDer
coolkid
皖公网安备34019202002308
