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Barrier Height, Ideality Factor and Role of Inhomogeneities at the AlGaN/GaN Interface in GaN Nanowire Wrap-Gate Transistor GaN纳米线缠绕栅晶体管中AlGaN/GaN界面的势垒高度、理想因子和不均匀性的作用
相关领域
材料科学
纳米线
晶体管
同质性(统计学)
光电子学
纳米尺度
半导体
阻挡层
凝聚态物理
电压
纳米技术
图层(电子)
物理
数学
统计
量子力学
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期刊:Nanomaterials 作者:Siva Pratap Reddy Mallem; Peddathimula Puneetha; Yeojin Choi; Seung Mun Baek; Dong-Yeon Lee; et al 出版日期:2023-12-17 |
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